据韩国媒体报谈，三星电子的第六代10纳米级1c DRAM制程斥地流程出现蔓延，展望完成期间从2024年年底推迟至2025年6月。
这一展期意味着原规画于2025年下半年量产的第六代高频宽存储器（HBM4）也靠近不祥情味。
三星在2024年年底向市集录用了首个测试芯片，但后续坐褥良率未达预期，导致斥地期间延长，据市集东谈主士显现，三星规画在改日六个月内将良率擢升至约70%。
按照过往教训，每一代制程的斥地周期频繁为18个月附近，有关词，自2022年12月三星斥地出第五代10纳米级1b DRAM制程并晓谕量产以来，AG真人百家乐怎么玩对于1c DRAM的施展一直未有明确音信。
这次1c DRAM制程的蔓延不仅影响了其中枢家具DDR5内存的量产期间，也触及了高频宽存储器（HBM）的斥地。
若是1c DRAM的量产推迟至2025年底，HBM的量产期间可能会在2025年之后，这与三星此前规画在2025年下半年量产HBM4的筹算相背，进而影响三星在HBM市集的竞争力。
韩国半导体产业东谈主士暗意，三星正在修改1c DRAM制程时候的部分想象，以尽快达成量产筹算，有关词能否在预定期间内完了量产，仍存在不祥情味。
发布于：北京市