ag百家乐苹果版下载 ASE80N03

　　

剪辑：ll

ASE80N03-ASEMI中低压N沟说念MOS管ASE80N03

型号：ASE80N03

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大漏源电流：80A

漏源击穿电压：30V

批号：最新

RDS（ON）Max：6.5mΩ

引脚数目：3

沟说念类型：N沟说念MOS管

芯片尺寸：MIL

走电流：

复原时辰：ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

张开剩余63%

特点：中低压MOS管、N沟说念MOS管

责任结温：-55℃~150℃

ASE80N03场效应管

ASE80N03的电性参数：最大漏源电流80A；漏源击穿电压30V

特征：

低固有电容。

出色的开关特点。

膨胀安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-4.5V，ag百家乐正规的网站Id=20A

RDS（开）:6.5mΩ （最大值）@VG=3V

发布于：广东省

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