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SanDisk 周三推出了一款理由的新内存，它不错将 3D NAND 的容量与高带宽内存 (HBM) 达成的超高带宽聚会在一皆。SanDisk 的高带宽闪存 (HBF) 内存不错并行拜谒多个高容量 3D NAND 阵列，从而提供饱和的带宽和容量。该公司将 HBF 定位为需要高带宽和容量以及低功耗条件的 AI 推理当用的惩处决议。第一代 HBF 不错在 GPU 上达成高达 4TB 的 VRAM 容量，明天版块将提供更多容量。SanDisk 还预测这项时刻将应用于手机和其他类型果然立。该公司尚未布揭发布日历。
SanDisk 内存时刻操纵 Alper Ilkbahar 暗意：“咱们称之为 HBF 时刻，用于增强 HBM 内存以冒失 AI 推理职责负载。咱们将匹配 HBM 内存的带宽，同期以一样的老本提供 8 到 16 倍的容量。”
从观点上讲，HBF 与 HBM 雷同。它将多个高容量、高性能闪存中枢芯片堆叠在一皆，这些芯片使用硅通孔 (TSV) 互相贯穿，位于逻辑芯片之上，不错并行拜谒闪存阵列（或者说闪存子阵列）。HBF 的底层架构是 SanDisk 的 BICS 3D NAND，汲取 CMOS 径直键合到阵列 (CBA) 狡计，将 3D NAND 内存阵列键合在使用逻辑工艺时刻制造的 I/O 芯片之上。该逻辑可能是达成 HBF 的关节。
“咱们向工程师们建议挑战，问他们，行使这种膨胀智商，你还能作念什么？”Alper Ilkbahar 说谈。“他们给出的谜底是……转向一种架构，将这个繁多的阵列诀别为很多阵列，ag百家乐网址并并行拜谒每个阵列。当你这么作念时，你会获取大都带宽。当今，咱们不错用它构建什么？咱们将构建高带宽闪存。”
传统的 NAND 芯片狡计常常将中枢 NAND 闪存阵列视为平面、页面和块。块是最小的可擦除区域，而页面是最小的可写区域。HBF 似乎将芯片分红“很多阵列”，以便不错同期拜谒它们。每个子阵列（具有我方的页面和块）不祥都有我方的专用读/写旅途。天然这雷同于多平面 NAND 确立的职责旨趣，但 HBF 观点似乎远远超出了它们。
现时，SanDisk 暗意其第一代 HBF 将使用 16 个 HBF 中枢芯片。为了达成这么果然立，SanDisk 暗意它发明了一种独有的堆叠时刻，该时刻的脾气是翘曲最小，不错堆叠 16 个 HBF 中枢芯片，以及一个不错同期拜谒来自多个 HBF 中枢芯片的数据的逻辑芯片。能够处理数百或数千个并发数据流的逻辑的复杂性应该高于典型的 SSD 抑制器。
不安祥的是，SanDisk 并未流露其 HBF 家具的本体性能数据，因此咱们只可测度 HBF 的每堆栈性能是否能与原始 HBM（~128 GB/s）或全新 HBM3E（在 Nvidia 的 B200 中可提供每堆栈 1 TB/s）相匹配。
https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/sandisks-new-hbf-memory-enables-up-to-4tb-of-vram-on-gpus-matches-hbm-bandwidth-at-higher-capacity
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