近日在ISSCC 2025上，公布了其在半导体制造鸿沟的一些发扬，先容了备受期待的Intel 18A工艺技艺，其中强调了SRAM密度的首要鼎新。频年来SRAM单位的膨胀如故变得十分可贵，际遇了SRAM单位缩减放缓的问题。台积电（TSMC）在3nm制程节点上就莫得什么鼎新，与5nm制程节点基本没区别，不传说闻到2nm制程节点似乎也会有质的蜕变。
据HardwareLuxx报谈，英特尔展示了我方的效果，称SRAM位单位尺寸将从Intel 3工艺的0.03μm²削弱到Intel 18A工艺的0.023μm²，HDC也显知道访佛的鼎新，削弱到0.021µm²，百家乐ag真人曝光赢得了可以的跳动。比较之下，台积电N5、N3B和N2工艺的SRAM位单位大小辨认为0.021µm²、0.0199μm²和0.0175μm²。
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英特尔还在Intel 18A引入了PowerVia背部供电技艺，这是其经管处理器逻辑区域电压下落和侵扰的首选措施。英特尔汲取了“环绕阵列”决议，策略性地将PowerVias愚弄于 I/O、收敛息争码器元件，同期优化了位单位打算，而无需正面供电。
Intel 18A的SRAM密度为31.8Mb/mm²，比起台积电N3E十分，比起N2的38Mb/mm²要失态一些。英特尔但愿连合PowerVia和GAA晶体管架构，可以向台积电发起挑战，争夺像英伟达、苹果和高通这类高端客户。
