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英特尔周一暗示，阿斯麦控股首批两台顶端光刻机正在其工场“坐褥”，早期数据标明它们比早期型号更可靠。
在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上，高等首席工程师史蒂夫卡森暗示，英特尔欺诈 ASML 的高数值孔径 (NA) 光刻机在一个季度内坐褥了 30,000 个晶圆，即不错坐褥数千个沟通芯片的大型硅片。
客岁，英特尔成为群众首家禁受这些机器的芯片制造商，这些机器展望将坐褥比 ASML 早期机器更小、更快的沟通芯片。此举是英特尔的计谋障碍，该公司在聘用上一代极紫外 (EUV) 光刻机方面过时于竞争敌手。
英特尔花了七年时分才将这些早期的机器进入全面坐褥，这导致它失去了对台湾半导体制造公司的逾越地位。在坐褥的开动阶段，英特尔对之前的 EUV 型号的可靠性建议了质疑。
不外，卡森暗示，在初步测试中，ASML 的新式高数值孔径机器的可靠性大要是上一代机器的两倍。
“咱们以踏实的速率坐褥晶圆，这对平台来说是一个浩大的克己，”卡森说。
新的 ASML 机器使用光束将特征打印到芯片上，也不错使用更少的曝光完成与早期机器疏通的职责，从而爽直时分和财富。
卡森暗示，英特尔工场的早期遵循骄横，高数值孔径机器仅用一次曝光和“个位数”的解决关节就能完成早期机器需要三次曝光和大要 40 个解决关节智商完成的职责。
英特尔暗示，野心欺诈High NA机器匡助建立所谓的18A制造技巧，该技巧野心于本年晚些时候与新一代PC芯片全部进行量产。
该公司暗示野心欺诈其下一代制造技巧 14A 全面进入高数值孔径机器的坐褥，Ag百家乐时间差但尚未披露该技巧的量产日历。
Imec 展示了聘用High NA EUV 单一图案化技巧得回的 20nm 间距金属线的电气产量
本周，在 SPIE 先进光刻 + 图案化技巧大会上，寰球逾越的纳米电子和数字技巧盘问与更动中心 imec 展示了在单次曝光high NA EUV 光刻后图案化的 20nm 间距金属线结构上得回的首个电气测试 (e-test) 遵循。对蛇形和叉形金属化结构的测量均骄横出邃密的电气产量，标明立地颓势数目较少。e-test 遵循阐明了High NAEUV 光刻扫描仪荒谬周围生态系统大概在如斯小的尺寸下图案化线条/空间。
2024 年 8 月，imec 初度展示了在单个High NAEUV 光刻曝光关节中图案化的行业辩论逻辑和 DRAM 结构。看成下一个重要关节，imec 标明，使用金属氧化物 (MOR) 负性光刻胶进行单次High NA EUV 图案化后得回的 20nm 间距的金属化线结构阐述出 90% 以上的良率。该性能想法是在两种不同的测试结构（即蛇形（或盘曲）结构和叉叉结构）上得回的，旨在揭示辩论立地颓势的信息。
imec 研发高等副总裁Steven Scheer暗示：“这是初度通过单次High NAEUV 图案化得回 20nm 间距金属线的电气产量演示。这些遵循代表了对High NAEUV 光刻荒谬周边生态系统功能的初步考证，包括先进的抗蚀剂和底层、光掩模、计量技巧、（变形）成像策略、光学左近变嫌 (OPC) 以及集成图案化和蚀刻技巧。咱们将赓续与咱们的图案化生态系统互助，鼓舞进一步擢升产量，并将这些技巧转让给咱们的制造互助伙伴。”
imec-ASML High NAEUV 生态系统包括逾越的芯片制造商、材料和光刻胶供应商、掩模供应商和计量巨匠等互助伙伴，他们共同致力于建立和优化High NAEUV 光刻技巧，用于 2 纳米以下节点的下一代半导体制造。
“电子测试是High NAEUV 考证的重要关节，” imec 先进图案化部门总监Philippe Leray补充谈。“这些电子测试遵循也为咱们指明了前进的标的。与电子束检讨相都集，金属化蛇形和叉形结构的电导率测量不错提供辩论导致产量裁汰的立地颓势（即断裂和桥接）的信息。这些视力支撑咱们的生态系统互助伙伴制定缓解立地颓势的策略。咱们正在进行的职责之一是优化光刻胶性能，以裁汰剂量与产量，同期尽量减少对立地故障的影响，咱们正在与光刻胶界密切互助，共同奋力。”
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