快科技2月14日音书,半导体询查机构TechInsights、SemiWiki公布了台积电N2 2nm级别、Intel 18A 1.8nm级别两大顶端工艺的诸多细节,并进行了正濒临比,发现各有上风。
但需要最初强调,因为现在官方贵府还不全,况且不同厂商的工艺各有特质,很难径直对比优劣,是以本文仅供参考,实质发挥取决于具体居品。

Intel 18A官方称进展顺利,将在本年下半年参预量产,首款居品代号Panther Lake,主要面向条记本迁徙端。
台积电N2也会在本年下半年大领域量产,首发客户还是,AMD Zen6展望也会使用。
说明询查,台积电N2的高密度步履单位(HD standard-cell)晶体管密度为每夙昔毫米3.13亿个,进步Intel 18A的每夙昔毫米2.38亿个、SF2(原名SF3P)的每夙昔毫米2.31亿个。
固然,这里说的仅仅按照步履单位晶体管的统计,但在实质期骗中,不同工艺节点有我方的寥落筹算,Ag百家乐时间差比如台积电的FinFlex、NanoFlex,不同居品更会使用不同的晶体管单位,包括高密度(HD)、高性能(HP)、低功耗(LP)。

性能方面,TechInsights服气,Intel 18A对比台积电N2、三星SF2齐有上风,不外这个也取决于具体居品。
TechInsights的计较设施也存在疑问,因为他是以台积电N16FF 16nm、三星14nm四肢基准,按照各自秘书的进步幅度,计较而来的,细则存在偏差。
另外,Intel 18A工艺引入了PowerVia背部供电本事,不错大大进步晶体管密度和性能,台积电N2是莫得的。

功耗方面,TechInsights分析以为,台积电N2要比三星SF2更省电,而能效亦然台积电的一贯上风。
至于Intel方面,还需要不雅察,服气不会太差。
