快科技2月14日音书，半导体询查机构TechInsights、SemiWiki公布了台积电N2 2nm级别、Intel 18A 1.8nm级别两大顶端工艺的诸多细节，并进行了正濒临比，发现各有上风。
但需要最初强调，因为现在官方贵府还不全，况且不同厂商的工艺各有特质，很难径直对比优劣，是以本文仅供参考，实质发挥取决于具体居品。
Intel 18A官方称进展顺利，将在本年下半年参预量产，首款居品代号Panther Lake，主要面向条记本迁徙端。
台积电N2也会在本年下半年大领域量产，首发客户还是，AMD Zen6展望也会使用。
说明询查，台积电N2的高密度步履单位(HD standard-cell)晶体管密度为每夙昔毫米3.13亿个，进步Intel 18A的每夙昔毫米2.38亿个、SF2(原名SF3P)的每夙昔毫米2.31亿个。
固然，这里说的仅仅按照步履单位晶体管的统计，但在实质期骗中，不同工艺节点有我方的寥落筹算，Ag百家乐时间差比如台积电的FinFlex、NanoFlex，不同居品更会使用不同的晶体管单位，包括高密度(HD)、高性能(HP)、低功耗(LP)。
性能方面，TechInsights服气，Intel 18A对比台积电N2、三星SF2齐有上风，不外这个也取决于具体居品。
TechInsights的计较设施也存在疑问，因为他是以台积电N16FF 16nm、三星14nm四肢基准，按照各自秘书的进步幅度，计较而来的，细则存在偏差。
另外，Intel 18A工艺引入了PowerVia背部供电本事，不错大大进步晶体管密度和性能，台积电N2是莫得的。
功耗方面，TechInsights分析以为，台积电N2要比三星SF2更省电，而能效亦然台积电的一贯上风。
至于Intel方面，还需要不雅察，服气不会太差。
